十三載攀汽車芯片"珠峰" 比亞迪欲以第三代半導體掀電動車變革
12月10日，比亞迪在寧波發布了在車規級領域具备很是意義的IGBT4.0技術，再一次展现出其在電動車領域的前端职位地方。這一晚，比亞迪將IGBT這個長期游離於人們視野、但又堪稱電動車CPU的焦点技術帶到了“聚光燈”下。活動現場
比亞迪IGBT4.0晶圓
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱“絕緣柵雙極型晶體管”，其芯片與動力電池電芯並稱為電動車的 “雙芯”，是影響電動車机能的關鍵技術，其本钱佔整車本钱的5%摆布。對於電動車而言，IGBT直接节制驅動系統直、交换電的轉換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。得益於在IGBT等焦点技術領域的強大實力，比亞迪電動車的超常机能得以落地並具備持續迭代升級的能力。
这次發布會上，比亞迪還釋放了另外一重磅动静：比亞迪已投入巨資结构机能加倍優異的第三代半導體质料SiC（碳化硅），有望於2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪旗下的電動車將周全搭載SiC電控。
比亞迪推出IGBT4.0，引領車規級功率半導體發展
IGBT屬於汽車功率半導體的一種，因設計門檻高、制造技術難、投資大，被業內稱為電動車焦点技術的“珠穆拉瑪峰”。此前，該技術重要把握在國際巨頭手中。
“比亞迪寄托本身強大的研發實力、人材的汇集、產業鏈的配套，在汽車功率半導體領域有了很是焦点的冲破，這個冲破不是今天想，来日诰日投入就可以實現的，是積累了十多年的技術、人材和產業鏈才能實現的。”中國半導體行業協會IC設計分會副理事長周生明在活動現場如斯暗示。
制造IGBT難度極大，在大規模應用的1200V車規級IGBT芯片的晶圓厚度上，比亞迪處於全世界冲破程度，可將晶圓厚度減薄到120um（約兩根頭發絲直徑）。
IGBT芯片打線
經過10余年的技術積累，比亞迪IGBT不斷迭代更新。活動現場，中國電器工業協會電力電子分會秘書長蔚紅旗暗示：“比亞迪在電動車功率半導體領域结构較早，并且真抓實干，中國的電動車發展不消擔心被‘洽商’了。”
这次推出的比亞迪IGBT4.0，在諸多關鍵技術指標上都優於當前市場主流產品，比方：
1. 電流輸出能力較當前市場主流的IGBT高15%，支撑整車具备更強的加快能力和更大的功率輸出能力。
2. 等同工況下，綜合損耗較當前市場主流的IGBT低落了約20%。這象征著電畅通過IGBT器件時，遭到的損耗低落，使得整車電耗顯著低落。以比亞迪全新一代唐為例，在其他條件不變的情況下，僅此一項技術，就乐成將百公裡電耗低落約3%。
3. 溫度循環壽命可以做到當前市場主流IGBT的10倍以上。這象征著比亞迪電動車在應對各種極端氣候、路況時，能有更高的靠得住性和更長的利用壽命。此前，比亞迪電動車就以其優異的机能與穩定的靠得住性，完成为了從新疆吐魯番的高溫，到北歐的高寒、再到西藏高原的高海拔等全世界嚴苛天然環境的測試，並在全世界300多個市場乐成經歷了各種氣候、路況、駕駛習慣的考驗，获得廣泛認可。
比亞迪IGBT4.0較當前市場主流的IGBT：電流輸出能力高15%，綜合損耗低落了約20%。
厚積薄發，打造電動車机能的一杆秤
在剛剛結束的2018廣州車展上，比亞迪全新一代唐EV正式對外預售。其百公裡加快4.4秒、續航裡程600公裡（60km/小時等速續航下）的超強机能再度確立了行業职位地方，並獲得消費者的高度認可，預售當天的訂單便冲破2000輛。
中國科學院院士、國家863“節能與新能源汽車”重大項目專家組組長歐陽明高曾評價，比亞迪全新一代唐“已經可以與世界上電動汽車技術相較量，代表了當前電動汽車制造的高水准”。
市場和行業的認可，離不開比亞迪IGBT等焦点技術的加持。得益於比亞迪IGBT在芯片損耗、電流輸出能力等方面的優異机能，比亞迪插電式夹杂動力汽車，率先搭載了“542”黑科技——“百公裡加快5秒以內、全時電四驅、百公裡油耗2升以內”。
比亞迪全新一代唐EV的續航裡程達600公裡（60km/小時等速續航下）
十多年前，在外界還不看好電動車远景的時候，“技術狂人”王傳福就默默结构了電動車的焦点技術。作為2003年才進入汽車行業的新玩家，比亞迪從一開始就紧密亲密關注IGBT等電動車焦点技術的自立研發和創新。
2005年，比亞迪組建本身研發團隊，投入重金结构IGBT產業。
2009年9月，比亞迪IGBT芯片通過了中國電器工業協會電力電子分會組織的科技功效鑒定，冲破了國際巨頭的技術壟斷。
今朝，比亞迪已經陸續把握IGBT芯片設計和制造、模組設計和制造、大功率器件測試應用平台、電源及電控等環節，是中國一家擁有IGBT完备產業鏈的車企。
比亞迪IGBT芯片通過中國電器工業協會電力電子分會組織的科技功效鑒定
比亞迪IGBT產品晶圓
提早结构SiC，比亞迪欲再度引領電動車變革
“馴服”了IGBT，比亞迪又將眼光投向了更遠的未來。
雖然在未來較長一段時間內，IGBT仍將供不應求。但比亞迪也已預見到，隨著電動車机能不斷地晋升，對功率半導體組件提出了更高的请求，當下的IGBT也將迫近硅质料的机能極限。尋求更低芯片損耗、更強電流輸出能力、更耐高溫的全新半導體质料，已成為學界和業界的广泛共識。
據悉，比亞迪已投入巨資结构第三代半導體质料SiC，並將整合质料（高純碳化硅粉）、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導體全產業鏈，致力於低落SiC器件的制造本钱，加速其在電動車領域的應用。
第三代半導體质料SiC
比亞迪SiC減肥貼,晶圓
这次發布會上，比亞迪颁布发表，已經乐成研發了SiC MOSFET（汽車功率半導體包含貓抓皮沙發,基於硅或碳化硅等质料打造的IGBT或 MOSFET等），有望於2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪將在旗下的電動車中，實現SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的周全替换，將整車机能在現有基礎上再晋升10%。
比亞迪第六事業部兼太陽能事業部總經理陳剛暗示：“SiC MOSFET將成為比亞迪電動車机能持續迭代更新的新一代‘殺手锏’，我們指望在加快、續航等机能指標上，為廣大消費者帶來更多驚喜。”
以技術創新，助力中國汽車產業“再向上”
在過去相當長的時間裡，IGBT的焦点技術始終把握在國外廠商手裡，中高端IGBT市場90%的份額被國際巨頭壟斷，導致“一芯難求”，成為制約我國電動車行業康健、快速發展的重要瓶頸。
根據世界三大電子元器件分銷商之一富昌電子（Future Electronics LTD）的統計，2018年，車規級IGBT模塊的交貨周期時長已經達到52周（IGBT的交貨周期正常情況下為8-12周）。而2018-2022年，全世界電動車年復合增長率達30%，但同期車規級IGBT市場的年復合增長率僅為15.7%。可以預見，未來幾年全世界車規級IGBT市場的供應將越发緊張。
十多年前，比亞迪冲破國際巨頭對IGBT的技術壟斷，助力我國電動車的快速發展﹔今天，比亞迪推出了全新的車規級IGBT4.0，為我國汽車產業的換道超車，供给強大的“中國芯”。未來，伴隨著比亞迪SiC的推出與大規模應用，我國汽車產業的“再向上”將獲得新的助推力。
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